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记忆体 Micron 也完成了 GDDR6 记忆体设计

所属栏目:要性频道 发布时间:2020-05-28

去年底 Micron 完成了 GDDR6 内部认证,现在已经正式发布了 GDDR6 记忆体,将于上半年开始投产,不过 Micron 的 GDDR6 并不像 Samsung 独立设计,而是联合了另外几家晶片设计公司共同研发。Micron的 GDDR6 记忆体由 Micron 自己生产,PHY(物理层)则是 Rambus 设计的,记忆体主控由 Northwest Logic 提供,验证IP由 Avery Design 完成。

记忆体  Micron 也完成了 GDDR6 记忆体设计

在 Micron 官网中我们可以看到现在推出的 GDDR6 均只有8Gb版本,速率分10Gb/s(1.25V)、12Gb/s(1.25V)、12Gb/s(1.35V)、13Gb/s(1.35 V)和14Gb/s(1.35V),和 SK Hynix 有点类似,依然在容量和速度上不如三星。
记忆体  Micron 也完成了 GDDR6 记忆体设计

多家公司联合推出的方案可以让 MicronGDDR6 应用在高效能网络系统,如自动驾驶汽车、人工智能和5G网路设施等领域上,Micron 表示前几代 GDDR 记忆体仅用于图形市场,应用层面太过狭窄,所以 Micron 汇集了多家公司的方案来解决这个问题,使他们的 GDDR6 应用範围更广。




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